据澎湃新闻，10月30日，长鑫科技在第三季度业绩交流会中透露，在4F²垂直沟道DRAM（动态随机存取存储器）架构取得关键突破的基础之上，第六代工艺技术平台已完成工程样片的验证。此前长鑫曾在学术论坛上介绍4F²架构进展，此次是长鑫首次宣布第六代工艺技术平台是基于4F²架构。按照产业实践，工程样片验证完成意味着该平台核心性能指标已在真实晶圆上达到设计预期，在客户端完成验证后可进入规模量产阶段。
据第一财经，此前长鑫科技宣布在4F²垂直沟道DRAM（动态随机存取存储器）架构上取得关键突破。该架构据称单位面积晶体管数量可比目前主流的6F²架构更多，且一定程度摆脱了工艺瓶颈。
另据长安街知事，10月30日晚，长鑫科技披露的2026年第三季度报告。该公司7月27日登陆上交所科创板，这是长鑫科技上市后的首份三季报。财报显示，前三季度，长鑫科技实现营业收入2690.24亿元，同比增长738.51%；归属于上市公司股东的净利润1320.40亿元。
编辑：林夕合
实习编辑：王博文
【来源：澎湃新闻、第一财经、长安街知事】