华润微授权代理商 CS830F A9RD N沟道功率MOSFET

华润微授权代理商 CS830F A9RD N沟道功率MOSFET

描述:

CS830F A9RD 是采用自对准平面工艺制造的硅N沟增强型VDMOSFET,该工艺降低了导通损耗、提高了开关性能并增强了雪崩能量。该晶体管可用于各种电源开关电路,以实现系统小型化和更高效率。

特征:

快速切换

ESD 改进能力

低栅极电荷(典型数据:14.5nC)

低反向传输电容(典型值:7.5pF)

100% 单脉冲雪崩能量测试

应用:

适配器和充电器的电源开关电路

详情请咨询我司业务15986786916

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