描述:
CS830F A9RD 是采用自对准平面工艺制造的硅N沟增强型VDMOSFET,该工艺降低了导通损耗、提高了开关性能并增强了雪崩能量。该晶体管可用于各种电源开关电路,以实现系统小型化和更高效率。
特征:
快速切换
ESD 改进能力
低栅极电荷(典型数据:14.5nC)
低反向传输电容(典型值:7.5pF)
100% 单脉冲雪崩能量测试
应用:
适配器和充电器的电源开关电路
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