韩国 ISC 公司推出全球首款可用于玻璃基板测试插座 WiDER-G
4月前该测试插座也可用于现有先进封装的检测。WiDER-G 将首先应用于 CoWoS 流程中，ISC 将根据主要客户的进度及时准备玻璃基板用途的供应。
群创：FOPLP 先进封装量产时间延迟，仍看好未来发展
4月前这一延迟是受内外部两方面情况影响：新技术学习曲线较长的同时客户因智能手机市况不佳调整了原定的手机 PMIC 封装订单。
博通推出行业首个 3.5D F2F 封装技术，将用于富士通 2nm MONAKA 处理器
4月前博通的 3.5D XDSiP 在 2.5D 封装之外还实现了上下两层芯片顶部金属层的“面对面”直接连接（3D 混合铜键合）。
消息称联电将为高通 Oryon 架构 HPC 芯片提供先进封装服务
4月前联电预计将为高通的这款芯片提供 WoW 晶圆对晶圆混合键合服务，该芯片有望 2025 下半年启动试产并在 2026 年进入放量出货阶段。
消息称台积电 FOPLP 封装初期选择较小基板，最快 2026 年建成小型产线
4月前台积电选择“先易后难”的策略，待未来光罩尺寸技术逐步到位后再提升 FOPLP 基板尺寸。
美国政府同 OSAT 巨头 Amkor 安靠达成 4.07 亿美元《CHIPS》补贴正式协议
4月前Amkor 计划在亚利桑那州皮奥里亚建设一座可满足 GPU 等 AI 芯片对高级后端工艺需求的封测厂，该厂将为台积电亚利桑那凤凰城晶圆厂所产芯片提供封测服务。
消息称 SK 海力士考虑进军先进封装领域，延长存储产业链
4月前在目前的 AI 芯片产业链中存储原厂仅负责提供 HBM，进军以 2.5D 工艺为代表的先进外包封测有助于提升 SK 海力士整体竞争力。
三星电子获美国《CHIPS》法案补贴“缩水”背后：取消先进封装产能规划，重点关注 2nm
4月前三星在美先进制程产能将重点关注下代尖端节点，同时暂时搁置了在美国当地提供先进制程 + 先进封装“一站式”服务的计划。
AI 需求火爆，消息称台积电 2025 年进一步调涨先进制程、CoWoS 代工价格
4月前具体而言，3nm、5nm 的价格涨幅将在 5%~10% 不等，而最供不应求的 CoWoS 的涨幅则将来到更高的 15%~20%。
多家 EDA 企业宣布推出英特尔 EMIB 先进 2.5D 封装参考流程
4月前EMIB 全称嵌入式多晶粒互连桥接，是一种通过硅桥连接不同单元的技术，已用于英特尔自身多项产品。
加速美国先进封装产能建设，美商务部宣布 16 亿美元研发激励举措
4月前美国政府计划向符合要求的先进封装创新项目提供每份不超过 1.5 亿美元的奖励金。
Yole：HPC、AI 推动，先进封装行业规模 2025~2029 年有望实现 12.9% 复合年增长
4月前一季度先进封装收入达 102 亿美元，同比实现增长，由于季节因素环比出现 8.1% 下降。
SK 海力士美国先进封装生产基地获美政府至多 4.5 亿美元直接补贴和 5 亿美元贷款
4月前SK 海力士此前已宣布斥资 38.7 亿美元在印第安纳州西拉斐特建设先进封装生产设施。
积极扩产 HBM 内存与先进封装，消息称美光有意购入友达闲置工厂
4月前美光考虑买下友达位于台南科技工业区的两座彩色滤光片厂，利用现有无尘室快速改建为半导体厂。
TrendForce：2025 年先进封装设备销售额有望实现超 10% 同比增幅
4月前先进封装设备较前端先进制程设备具有较低的供应链门槛，集邦咨询预计明年相关销售额同比增幅有望破两成。
尼康官宣旗下首款半导体后端工艺用光刻机：1.0μm 分辨率，2026 财年发售
4月前该数字光刻机曝光过程无需使用掩膜，较传统有掩膜方式可以同时削减后端工艺的成本和用时。
格芯宣布斥资 5.75 亿美元在美国纽约州建设先进封装和光子学中心
4月前该中心与其所在的晶圆厂一道，将可在美国本土提供一系列关键领域“基础芯片”的全流程制造能力。