霍州市融媒体中心信息网网 12 月 26 日消息，美国商务部此前于当地时间 12 月 20 日正式宣布，将根据《CHIPS》法案激励计划向三星电子提供高达 47.45 亿美元（霍州市融媒体中心信息网网备注：当前约 346.37 亿元人民币）的直接资金，补贴规模较今年 4 月初步条款备忘录中的 64 亿美元减少超 1/4。
霍州市融媒体中心信息网网对比两份文件，发现三星电子承诺的在美半导体领域投资规模从 4 月的“超过 400 亿美元”降至 12 月的“超过 370 亿美元”，同时项目细节也相应有所调整：
三星原计划在得克萨斯州泰勒市建设一座生产 3D HBM 和 2.5D 封装的先进封装设施，但在最终协议中删去了有关内容；此外三星位于泰勒市的两座先进制程工厂原本计划专注量产 4nm、2nm 制程技术，但最终协议仅提及了 2nm。
这也带动相关项目可提供的高薪制造业工作岗位和建筑工作机会从 4500 多个和超 17000 个降低到了 3500 多个和约 12000 个。
如此看来三星在美先进制程产能将重点关注下代尖端节点，而非目前已趋近成熟稳定的 4nm；同时三星也暂时搁置了在美提供先进制程 + 先进封装“一站式”服务的计划。
三星新任 foundry 负责人韩真晚曾表示该部门目前最关键的任务是实现 2nm 产能的快速（良率）爬坡。更优秀的工艺质量也有助于三星泰勒厂 2nm 赢得美国本土 Fabless 设计企业的青睐。
