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Rapidus

  • 消息称日本政府拟以实物出资参股先进芯片制造商 Rapidus,吸引民间投资

    消息称日本政府拟以实物出资参股先进芯片制造商 Rapidus,吸引民间投资

    4月前

    Rapidus 的 IIM 先进晶圆厂建设投资来自日本政府委托费,该晶圆厂属于日本国家资产。

  • 日本先进芯片制造商 Rapidus:若 2nm 量产顺利,计划建设 1.4nm 第二晶圆厂

    日本先进芯片制造商 Rapidus:若 2nm 量产顺利,计划建设 1.4nm 第二晶圆厂

    4月前

    Rapidus 的 2nm 晶圆厂 IIM-1 大楼建设已完成约八成,目标 2027 年实现大规模量产。

  • 英伟达 CEO 黄仁勋强调“供应多样化”,不排除未来找 Rapidus 代工可能

    英伟达 CEO 黄仁勋强调“供应多样化”,不排除未来找 Rapidus 代工可能

    4月前

    黄仁勋认为 AI 浪潮带来的革新将从目前的数字领域向实体领域扩张,机器人有望迎来重大技术变革。

  • 消息称日本政府计划在 2025 财年向芯片制造商 Rapidus 投资 2000 亿日元,助力其实现商业化生产目标

    消息称日本政府计划在 2025 财年向芯片制造商 Rapidus 投资 2000 亿日元,助力其实现商业化生产目标

    4月前

    据日经新闻报道,日本政府计划在 2025 年 4 月开始的一年里向半导体初创企业 Rapidus 投资 2000 亿日元(IT之家备注:当前约 93.76 亿元人民币),以帮助其在 2027 年实现商业化生产的目标。

  • IBM、Rapidus 展示多阈值电压 GAA 晶体管合作研发成果,有望用于 2nm 量产

    IBM、Rapidus 展示多阈值电压 GAA 晶体管合作研发成果,有望用于 2nm 量产

    4月前

    IBM 和 Rapidus 双方展示了一种在 GAA 中实现多阈值电压(Multi Vt)的更好方案。

  • Rapidus 宣布就 2nm GAA BSPDN 背面供电工艺同 Cadence 展开合作

    Rapidus 宣布就 2nm GAA BSPDN 背面供电工艺同 Cadence 展开合作

    4月前

    BSPDN 背面供电网络是先进制程领域即将问世的重大技术改进,其将芯片的供电结构从晶圆正面转移至背面,最终降低了平台整体电压与功耗。

  • Rapidus 会长东哲郎:2nm 试产线 2025 年 3 月底前设备就绪,4 月启动

    Rapidus 会长东哲郎:2nm 试产线 2025 年 3 月底前设备就绪,4 月启动

    4月前

    按照 Rapidus 的规划,在完成试产后该企业目标到 2027 年 4 月实现 2nm 工艺的量产;此前 Rapidus 表示正同 40 多家潜在客户进行谈判。

  • Rapidus 接收日本首台量产用 EUV 光刻机 ASML NXE:3800E

    Rapidus 接收日本首台量产用 EUV 光刻机 ASML NXE:3800E

    4月前

    NXE:3800E 是 ASML EXE 系列 0.33 (Low) NA EUV 光刻机的最新型号,能满足 Rapidus 首代量产工艺 2nm 的制造需求。

  • 日本首相:计划在贷款融资上向 Rapidus 提供政府担保支持

    日本首相:计划在贷款融资上向 Rapidus 提供政府担保支持

    4月前

    Rapidus 需要 5 万亿日元的资金支持业务开展,但未来销售前景仍然不明,难以获得日本银行业的贷款支持。

  • 丰田汽车计划向日本半导体制造商 Rapidus 追加投资

    丰田汽车计划向日本半导体制造商 Rapidus 追加投资

    4月前

    丰田汽车今日表示,计划向日本半导体制造商 Rapidus 追加投资,为其在 2027 年前量产下一代半导体的计划提供资金支持。

  • 日本政府拟编制 3328 亿日元先进半导体支持预算,有望成 Rapidus 主要股东

    日本政府拟编制 3328 亿日元先进半导体支持预算,有望成 Rapidus 主要股东

    4月前

    日本经产省在 24 日的会议上提出向 Rapidus 投资 1000 亿日元,同时民间股东也将再注资 1000 亿日元。

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