史上最佳表现：SK 海力士 2025 年营业利润 23.5 万亿韩元，发放 1500% 绩效奖金
4月前SK 海力士在公司公告栏上宣布，将发放相当于基本工资 1500% 的绩效奖金，这也是有史以来规模最大的一次（奖金将于本月 24 日发放）。
消息称 SK 海力士收缩 CIS 业务规模，全力聚焦 HBM 等高利润产品
4月前SK 海力士今年减少了对 CIS 业务的研发投资，月产能也已降低至不足去年一半水平。
SK 海力士发布 2025 财年第 3 季度财报：营收 17.57 万亿韩元、同比增长 94%
4月前SK 海力士今天（10 月 24 日）发布 2024 财年第三季度（截至 2024 年 9 月 30 日）财报，合并收入为 17.5731 万亿韩元，环比增长 7%、同比增长 94%。
消息称特斯拉与 SK 海力士正洽谈 1 万亿韩元的企业固态硬盘订单
4月前随着对 AI 芯片的需求爆炸性增长，能够快速处理海量数据的 eSSD 的需求也在飙升，成为与 HBM 芯片并列的 AI 芯片核心部分。
三星电子与 SK 海力士的市值份额差距缩至近 13 年最小
4月前两家企业的市值份额之差为 8.9 个百分点，系 2011 年 7 月 18 日（8.84 个百分点）以来近 13 年零 3 个月的最小水平。
SK 海力士宣布量产全球最高的 321 层 1Tb TLC 4D NAND 闪存，计划 2025 上半年对外出货
4月前SK 海力士刚刚宣布开始量产全球最高的 321 层 1Tb（太比特）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 闪存。
SK 海力士新设 AI 芯片开发和量产部门，任命首席开发官及首席生产官
4月前新设的AI芯片开发部门整合了 DRAM、NAND 和解决方案的开发能力，着眼于下一代 AI 内存等未来技术，旨在促进公司整体的技术协同。
SK 海力士获美国 4.58 亿美元芯片补贴
4月前路透社昨日（12 月 19 日）发布博文，报道美国商务部本周四最终确定，向 SK 海力士提供高达 4.58 亿美元（IT之家备注：当前约 33.46 亿元人民币）的政府补助，帮助其在印第安纳州设立先进芯片封装工厂和人工智能产品研发设施。
消息称 SK 海力士考虑进军先进封装领域，延长存储产业链
4月前在目前的 AI 芯片产业链中存储原厂仅负责提供 HBM，进军以 2.5D 工艺为代表的先进外包封测有助于提升 SK 海力士整体竞争力。
NAND 闪存过剩预计价格暴跌：消息称三星西安工厂大幅减产，SK 海力士自信增产
4月前这似乎是保护盈利能力的一项措施，因为随着全球 NAND 持续供过于求，预计今年价格将暴跌。考虑到 SK 海力士正在增加 NAND 供应规模，三星电子似乎已经决定，无法以当前的 NAND 工艺维持过去压倒性的生产力。
面向未来数据中心场景，消息称三星、SK 海力士已启动芯片浸没式液冷兼容测试
4月前浸没式液冷可降低冷却能耗、减少机房噪声、避免外界振动与湿度对对服务器寿命的影响。
SK 海力士美国先进封装生产基地获美政府至多 4.5 亿美元直接补贴和 5 亿美元贷款
4月前SK 海力士此前已宣布斥资 38.7 亿美元在印第安纳州西拉斐特建设先进封装生产设施。
SK 海力士宣布全球率先量产 12 层 HBM3E 芯片，实现 36GB 最大容量
4月前SK 海力士还堆叠 12 颗 3GB DRAM 芯片，实现与现有的 8 层产品相同的厚度，同时容量提升 50%。为此，公司将单个 DRAM 芯片制造得比以前薄 40%，并采用硅通孔技术（TSV）技术垂直堆叠。
SK 海力士被曝赢得博通 HBM 订单，预计明年 1b DRAM 月产能将扩大到 16~17 万片
4月前SK 海力士在 10 月份的第三季度电话会议上表示，预计 HBM 将在第四季度占其 DRAM 业务营收的 40% 份额。随着 SK 海力士与博通达成协议，预计这一比例将进一步上升。