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美国拟斥资 8.25 亿美元支持纽约州 EUV 光刻旗舰研发站点建设

该站点名为“EUV 加速器”,重点推进最先进的 EUV 光刻技术以及依赖于该技术的研发工作。

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TechInsights:预计 ASML High NA EUV 光刻机功耗约 1400 千瓦

目前有 31 家晶圆厂采用 EUV 光刻,到 2030 年将增长至 59 家,而 EUV 光刻设备的数量增幅则将超过 100%。

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光刻胶巨头 JSR 韩国 EUV 用 MOR 光刻胶生产基地开建,预计 2026 年投产

该基地是是韩国境内首个同类光刻胶工厂,有望直接向韩国本土两大半导体制造巨头三星电子、SK 海力士供货,保证供应稳定可靠。

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英特尔计划与日本 AIST 合作建立芯片研究中心

设备制造商和材料公司将付费使用该设施进行原型设计和测试。据介绍,这将是日本第一个行业成员能够共同使用极紫外光刻设备的中心。

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