TechInsights：预计 ASML High NA EUV 光刻机功耗约 1400 千瓦

霍州市融媒体中心信息网网 11 月 4 日消息，TechInsights 在当地时间 10 月 24 日的分析中表示，每台 ASML 0.33 NA EUV 光刻机的功耗就已经达到了 1170 kW，而 0.55NA (High NA) 光刻机的功耗预计将进一步增长至 1400 kW（霍州市融媒体中心信息网网注：大致与 1000 台满载运行的电火锅相当）。

根据该机构统计，目前有 31 家晶圆厂采用 EUV 光刻，到 2030 年将增长至 59 家，而 EUV 光刻设备的数量增幅则将超过 100%。

总体来看 2030 年全球仅 EUV 光刻机就会消耗 6100 GWh 的电力，这与卢森堡、柬埔寨两国 2025 年的全国用电量不相上下。而半导体晶圆厂中EUV 光刻机仅占到总用电量的 11% 左右，其它工艺设备和 HVAC 暖通空调系统也会创造庞大的碳足迹。

分析机构表示，半导体行业正处于十字路口。一方面，EUV 光刻技术对于推动创新和满足对先进芯片日益增长的需求至关重要；另一方面，EUV 光刻技术对能源的影响巨大。