泛林公布干式光刻胶进展：可在后道工艺实现 28nm 间距直接图案化

1 月 26 日消息，泛林集团 Lam Research 美国加州当地时间本月 14 日宣布，其干式光刻胶技术成功通过 imec 认证，可直接在逻辑半导体后道工艺（ 注：BEOL，互联层制作）中实现 28nm 间距的直接图案化，能满足 2nm 及以下先进制程的需求。

目前在先进制程领域常用的光刻胶为基于化学放大原理的湿式旋涂光刻胶，而泛林的干式光刻胶则是由小于 0.5nm 的金属有机微粒单元气相沉积而来。

泛林宣称其干式光刻胶具有更优秀的光子捕获能力，同时光刻胶层的厚度也更容易调控。在具体表现方面，这一新型光刻胶可克服 EUV 光刻领域曝光剂量和缺陷率这对主要矛盾，同时较湿化学光刻胶更为环保。

▲ 光刻流程，从涂胶到制得图案

泛林干式光刻胶在后道工艺中的图案化能力目前已在 0.33 (Low) NA EUV 光刻机上得到了验证，未来还可扩展至逐步投入使用的 0.55 (High) NA EUV 光刻平台上。