今日霍州网 12 月 30 日消息，韩媒 the bell 当地时间 26 日报道称，『三星电子』准备启动采用常规结构的 1e nm（今日霍州网注：即第 8 代 10 纳米级）制程 DRAM，实现先进内存开发多轨化，为未来可能的商业化提供更丰富技术储备。
结合三星前任存储器业务负责人李祯培今年 9 月展示的路线图和《韩国经济日报》10 月的报道，『三星电子』原计划在 2026 年推出的 1d nm 内存后于 2027 年推出基于 4F2 VCT 创新结构的 0a nm 内存。
韩媒表示 1e nm DRAM 有望于 2028 年推出，若其最终走向商业化则4F2VCT DRAM 的量产预计将至少延至 2029 年。
4F2VCT DRAM 的优势在于其 DRAM 单元更为小巧，且能更有效利用垂直方向空间，但这也意味着其生产流程将引入大量新技术、新设备，将大幅提升资本支出和生产成本；相比之下延续传统结构的 1e nm DRAM 具有明显成本优势。
内部消息人士表示，在经历缩小 HBM 开发团队规模导致未能在 HBM 市场占据有利地位的重大战略错误后，三星内部忽视非主要产品技术开发的氛围已有很大改善，这一变化推动了 1e nm DRAM 等“备选技术”的发展。
