TrendForce：2025 年第四季度 DRAM 价格涨幅放缓，需求主要靠 AI 服务器维持
4月前根据 TrendForce 最新调查报告，2024 年第三季度之前，消费型产品终端需求依然疲软，主要需求靠 AI 服务器支撑。
TrendForce 预测 2025 年 DRAM 产量同比增长 25%，中国厂商发力 LPDDR4x 和 DDR4 领域
4月前TrendForce 今日发布最新研报，称 DRAM 产业经过了 2024 年前三季度的去库存化和价格回升，预计第四季度的涨价势头将有所减弱。
消息称三星平泽 P4 厂一期改为混合产线：每月可产 3~4 万片 DRAM 内存晶圆
4月前P4 工厂一期未来每月还可贡献约 1 万片 NAND 闪存晶圆。
南亚科技宣布同补丁科技就定制超高带宽内存开发达成战略合作
4月前此次合作将结合南亚科技的 10nm 级 DRAM 技术和补丁科技在定制内存产品方面的设计能力。
集邦咨询：库存高企需求疲软，2025Q1 NAND 平均合约价预测降 10~15%、DRAM 降 8~13%
4月前TrendForce 集邦咨询昨日（12 月 31 日）发布博文，预测 2025 年第 1 季度 NAND Flash 合约价环比下降 10~15%；DRAM 合约价下降 8~13%。
美光加速 EUV 技术攻坚，1γ DRAM 工艺目标 2025 年量产
4月前美光科技首席执行官 Sanjay Mehrotra 在刚刚举行的电话会议上表示：“采用极紫外光刻技术的 1γ DRAM 试产进展顺利，我们正按计划于 2025 年实现量产。”
TrendForce：HBM、QLC 崛起，助推今年 DRAM、NAND 产业营收环比增长超七成
4月前HBM 今年将贡献 DRAM 整体营收的 20%；QLC 今年将占到整体 NAND 位元出货的两成。
TechInsights：3D、4F2 等新结构 DRAM 内存有望于 0C 节点量产
4月前0C nm 即第 3 代 10nm 以下级节点。目前三大原厂最先进的工艺是 1b nm，即第 6 代 20~10 纳米级节点。
消息称三星电子确认平泽 P4 工厂 1c nm DRAM 内存产线投资，目标明年 6 月投运
4月前三星电子计划在今年底启动 1c nm 内存生产。平泽 P4 生产的 DRAM 有望用于 HBM4。
TrendForce：2025 年第二季内存产业营收 229 亿美元，环比增 20.4%，同比翻倍
4月前DRAM 内存产业 2024 年第二季合约价维持上涨姿态，具体涨幅落在 13%~18% 区间。
赔偿 7.535 亿欧元，英飞凌就昔日内存巨头奇梦达破产达成最终和解
4月前奇梦达曾一度成为全球第二大 DRAM 供应商，但因多方面原因于2009年申请破产。
消费电子旺季遇冷，消息称内存模组一哥金士顿针对部分中低端产品降价
4月前今年整体消费者需求偏低，AI PC带来的换机潮尚未发酵，导致存储模组行业企业面临现金流压力。
消息称三星本月成功研制首批 1c nm DRAM 良品晶粒，未来将用于 HBM4 内存
4月前三星计划年内建成首条 1c DRAM 量产线，但按规划明年底就要量产基于 1c DRAM 的 HBM4 内存。
面向高能效应用：铠侠、南亚联合研发新型极低漏电流 OCTRAM 内存
4月前OCTRAM 为一种采用 IGZO 晶体管的 4F2 VCT DRAM，较以往产品漏电流更低，能效更为优秀。
TrendForce：第三季度 DRAM 内存产业营收 260.2 亿美元，环比增长 13.6%
4月前三星 Q3 营收为 107 亿美元（当前约 775.72 亿元人民币），环比增长 9%，排名维持第一，出货量与上季持平，但市场份额反而有所下降。
消息称三星电子启动下代 1c nm DRAM 内存量产设备订购，明年 2 月引进
4月前三星首条 1c nm 量产线将设置于韩国京畿道平泽 P4 工厂，由于良率尚待改进初期投资规模有限。
TrendForce：预估一般型 DRAM 内存 2025 年一季度合约价下跌 8%~13%
4月前2025Q1 进入 DRAM 市场淡季，在智能手机等需求持续萎缩、部分产品提前备货的背景下各类别内存价格均将下滑。
鼓励多技术路线探索，消息称三星电子准备开发传统结构 1e nm DRAM 内存
4月前1e nm DRAM 有望于 2028 年推出，若其最终走向商业化则 4F2 VCT DRAM 的量产预计将至少延至 2029 年。