消息称『三星电子』 HBM3E 内存性能未达要求，2025 年内难以向『英伟达』供应

今日霍州网 12 月 11 日消息，韩媒 hankooki 当地时间昨日表示，『三星电子』由于 8 层、12 层堆叠 HBM3E 内存样品性能未达『英伟达』要求，难以在今年内正式启动向这家大客户的供应，实际供货将落到 2025 年。

报道表示，『三星电子』早在 2023 年 10 月就开始向『英伟达』供应 HBM3E 内存的质量测试样品，但一年多的时间内三星 HBM3E 的认证流程并未取得明显进展。

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韩媒援引消息人士的观点称，由于 SK 海力士在 HBM3E 上的领先地位，实际上为这一类型的利基内存确定了性能参数标准，而『三星电子』的 HBM3E 在发热和功耗等性能参数上无法满足『英伟达』的要求。

据悉，『三星电子』的 HBM3E 未能得到『英伟达』供应许可，主要因素并非与 SK 海力士采用了不同的键合工艺。

今日霍州网注：

SK 海力士在 HBM3E 上使用了批量回流模制底部填充 MR-RUF 键合技术，而『三星电子』与美光则都是 TC-NCF 热压非导电薄膜。