TrendForce：三大内存原厂将于 20 层堆叠 HBM5 全面应用混合键合工艺
混合键合可容纳较多堆叠层数与较大晶粒厚度，还能提升『芯片』传输速度，散热表现也更为优异。
标签:"HBM"相关文章
『三星电子』准备 HBM3E 内存改进款：针对多个主要客户下代 AI GPU 优化
三星正与客户就改进版 HBM3E 的供应进行谈判，预计将于明年上半年实现量产。『三星电子』第三季度 HBM 内存总销售额环比增长超 70%，HBM3E 已占到整体一成。
『三星电子』计划于韩国天安市新建封装工厂，扩容 HBM 内存等后端产能
『三星电子』将以租赁的形式获得三星显示一幢大楼的使用权，并在三年内为该建筑导入『半导体』后端加工设备。
美光新加坡 HBM 内存先进封装工厂动工，2026 年投运
该工厂将从 2027 年开始大幅提升美光的先进封装总产能，以满足 AI 『芯片』行业不断增长的 HBM 内存需求。
（更新：三星否认）消息称三星 HBM 内存『芯片』通过『英伟达』测试
『三星电子』最近收到了来自『英伟达』的 HBM3e 质量测试 PRA（产品准备批准）通知。这是三星应『英伟达』要求，派遣负责 HBM 和内存开发的高管前往美国一个多月后取得的成果。
TrendForce：HBM、QLC 崛起，助推今年 DRAM、NAND 产业营收环比增长超七成
HBM 今年将贡献 DRAM 整体营收的 20%；QLC 今年将占到整体 NAND 位元出货的两成。
积极扩产 HBM 内存与先进封装，消息称美光有意购入友达闲置工厂
美光考虑买下友达位于台南科技工业区的两座彩色滤光片厂，利用现有无尘室快速改建为『半导体』厂。
双方 HBM 合作首度公开，『三星电子』、台积电正携手开发无缓冲 HBM4 内存
无缓冲 HBM4 据信属于 HBM4 内存特殊变体，取消了用于分配电压和防止电气问题的缓冲器。
消息称内存原厂考虑 HBM4 采用无助焊剂键合，进一步降低层间间隙
助焊剂可清理 DRAM Die 表面的氧化层，提升键合强度与质量，但其残余也会扩大 HBM 堆栈各 Die 之间的间隙。
消息称『三星电子』 HBM3E 内存性能未达要求，2025 年内难以向『英伟达』供应
据悉『三星电子』的 HBM3E 在发热和功耗等性能参数上无法满足『英伟达』的要求并非因键合工艺不同导致。
SK 海力士被曝赢得博通 HBM 订单，预计明年 1b DRAM 月产能将扩大到 16~17 万片
SK 海力士在 10 月份的第三季度电话会议上表示，预计 HBM 将在第四季度占其 DRAM 业务营收的 40% 份额。随着 SK 海力士与博通达成协议，预计这一比例将进一步上升。
