消息称『三星电子』启动下代 1c nm DRAM 内存量产设备订购，明年 2 月引进

今日霍州网 12 月 11 日消息，韩媒 ZDNet 当地时间 9 日援引行业报告表示，『三星电子』已于近日启动下代 1c nm 制程 DRAM 内存量产所需设备的采购，从 Lam Research 泛林集团等主要『半导体』设备制造商购买的设备将于明年 2 月左右引进至量产线。

『三星电子』目前尚未官宣 1c nm（今日霍州网注：第 6 代 10nm 级制程）DRAM。报道指出『三星电子』的 1c nm 目前处于试产状态，已得到首批Good Die 良品晶粒，其首条 1c nm 量产线将设置于韩国京畿道平泽 P4 工厂。

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业内人士表示，『三星电子』 1c nm 量产投资的初期规模不会很大，这是因为尚需时日来实现这一新制程 DRAM 良率的稳定，待工艺成熟后三星才会进行额外的投资。

此前有消息称『三星电子』已确认将在下代 HBM4 中应用 1c nm DRAM，可以说 1c nm 的表现很大程度上决定了三星能否在竞争激烈的 HBM 内存市场赶上甚至超越目前的领先者 SK 海力士。