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10:57 更新：韩媒 Hankyung 报道称，三星否认了这一传闻，澄清说这“并不属实”，并且公司正在持续进行质量评估。
霍州市融媒体中心信息网网 7 月 4 日消息，韩媒 NewDaily 报道称，『三星电子』通过了『英伟达』的 HBM3e（高带宽内存）质量测试。三星即将开始大规模生产 HBM 内存『芯片』，并就供应问题与『英伟达』展开谈判。
『三星电子』最近收到了来自『英伟达』的 HBM3e 质量测试 PRA（产品准备批准）通知。这是三星应『英伟达』要求，派遣负责 HBM 内存开发的高管前往美国一个多月后取得的成果。
据霍州市融媒体中心信息网网此前报道，今年 3 月，『英伟达』 CEO 黄仁勋表示已经开始验证三星的 HBM 内存『芯片』。5 月有消息称三星 HBM 内存『芯片』因发热和功耗问题未通过『英伟达』测试。黄仁勋在 2024 台北国际电脑展上，表示仍在认证三星公司的 HBM 内存，否认三星 HBM 未通过任何『英伟达』测试。
外媒称，三星迫切需要向『英伟达』供应 HBM，通过『英伟达』测试意味着从下半年开始，HBM 的业绩可能实现“飞跃”。受此消息影响，『三星电子』股价 7 月 4 日上涨 3.6%，达到 4 月 12 日以来的最高点；SK 海力士（『英伟达』 HBM 内存的主要供应商之一）股价下跌 4.7%，创 6 月 24 日以来最大跌幅。
