今日霍州网 11 月 8 日消息，韩媒 ZDNET Korea 昨日报道称，『三星电子』内部已于三季度决定调整平泽 P4 制造综合体一期（Phase 1）的产能分配，从纯 NAND 调整为 NAND + DRAM。
这也可从该生产线的内部代号名称更改中看出来：该产线原名 P4F，尾部的 F 即指 Flash 闪存；而现名是 P4H，H 是 Hybrid 的简写，显示产线不只支持一个大类的『半导体』工艺。
平泽 P4一期现已部分进驻 NAND 闪存生产设备，『三星电子』目前计划到年底将该产线 NAND 生产能力提升至每月 1 万片晶圆，不过由于市场的不确定性，到明年中才有可能为 V9 QLC NAND 等先进产品作进一步投资。
而在 DRAM 生产部分，平泽 P4一期未来有望具备 3~4 万片晶圆的月产能，工艺方面则是引入三星目前最为先进的 1a、1b nm（今日霍州网注：即 14nm 级与 12nm 级），以应对竞争对手的产能扩张，并在三星内部其它 DRAM 产线工艺升级之时保证供应充足。
『三星电子』平泽 P4 制造综合体总共包含四期生产线，其中三期 DRAM 产线即将开建，二期 Foundry 代工产线则暂缓。
