微源 LPM2302 20V3.5A N沟道增强型场效应晶体管

微源 LPM2302 20V3.5A N沟道增强型场效应晶体管

描述:

LPM2302是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度和DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺特别设计用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用、笔记本电脑电源管理和需要高侧开关的其他电池供电电路。

特征:

20V/3.5A,RDS(ON)=50mΩ(典型值)@VGS=4.5V

20V/3.0A,RDS(ON)=75mΩ(典型值)@VGS=2.5V

超高密度电池设计,超低RDS(ON)

SOT23封装

应用:

便携式媒体播放器

蜂窝和智能手机

LCD

DSC传感器

无线卡

详情请咨询我司业务15986786916

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