描述：
LPM2302是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度和DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺特别设计用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用、笔记本电脑电源管理和需要高侧开关的其他电池供电电路。
特征：
20V/3.5A，RDS（ON）=50mΩ（典型值）@VGS=4.5V
20V/3.0A，RDS（ON）=75mΩ（典型值）@VGS=2.5V
超高密度电池设计，超低RDS（ON）
SOT23封装
应用：
便携式媒体播放器
蜂窝和智能手机
LCD
DSC传感器
无线卡
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