微源 LPM9007 30V4A P沟道增强型场效应晶体管

描述：

LPM9007是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度和DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺特别设计用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用、笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，在这些电路中需要高侧开关。

特征：

-30V1-3.0A，RDC（ON）=52mQ（典型值）@VGS=-4.5V

-30V1-3.0A，RDC（ON）=80mΩ（典型值）@VGS=-2.5V

超高密度电池设计，实现极低RDC（ON）

SOT23 封装

应用：

便携式媒体播放器

蜂窝和智能手机

液晶显示屏

DSC 传感器

无线卡

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