描述：
LPM9007是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度和DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺特别设计用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用、笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，在这些电路中需要高侧开关。
特征：
-30V1-3.0A，RDC（ON）=52mQ（典型值）@VGS=-4.5V
-30V1-3.0A，RDC（ON）=80mΩ（典型值）@VGS=-2.5V
超高密度电池设计，实现极低RDC（ON）
SOT23 封装
应用：
便携式媒体播放器
蜂窝和智能手机
液晶显示屏
DSC 传感器
无线卡
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