金融界2025年5月9日消息，国家知识产权局信息显示，苏州龙驰半导体科技有限公司申请一项名为“电容耦合栅控结型场效应晶体管”的专利，公开号CN119947200A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，本申请提供了一种电容耦合栅控结型场效应晶体管，包括：衬底和外延层、漏极；沟槽，自外延层的上表面向下形成；第一掺杂类型的沟槽型的栅，形成在沟槽的内壁和底部；用于连接源极电压的第一源极电极，形成在栅的底部之上，栅和第一源极电极连接使得两者同电势；沟槽型的介质层，形成在第一源极电极之上的；栅极电极，填充在介质层的内壁和底部；第一掺杂类型的源区，至少间隔设置在栅的一侧；源区和第一源极电极各自连接源极电压；第二掺杂类型的沟道区，形成在源区和栅之间；其中，源区、沟道区、栅之下的结构作为第二掺杂类型的栅周围结构，栅、栅周围结构形成PN结。本申请解决了开关损耗较大的技术问题，也提高体二极管的导通能力。
天眼查资料显示，苏州龙驰半导体科技有限公司，成立于2022年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本19634.4449万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州龙驰半导体科技有限公司参与招投标项目21次，财产线索方面有商标信息28条，专利信息60条，此外企业还拥有行政许可29个。
