矽源特ChipSourceTek-PE60P20K是VDS=-60V, ID=20A,RDS(ON)<80mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)<115mΩ@VGS=-4.5V的P沟道增强型电源Mosfet。提供TO-252-2

矽源特ChipSourceTek-PE60P20K是VDS=-60V, ID=20A,RDS(ON)<80mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)<115mΩ@VGS=-4.5V的P沟道增强型电源Mosfet。提供TO-252-2

矽源特ChipSourceTek-PE60P20K Description:

矽源特ChipSourceTek-PE60P20K是VDS=-60V, ID=-20A,RDS(ON)<80mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)<115mΩ@VGS=-4.5V的P沟道增强型电源Mosfet。提供TO-252-2L封装。

The 矽源特ChipSourceTek-PE60P20K uses deep trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

矽源特ChipSourceTek-PE60P20K General Features:

VDS=-60V, ID=-20A

RDS(ON)<80mΩ@VGS=-10V

RDS(ON)<115mΩ@VGS=-4.5V

High Power and current handing capability

Lead free product is acquired

Surface Mount Package

矽源特ChipSourceTek-PE60P20K Application:

PWM applications

Load switch

Power management

矽源特ChipSourceTek-PE60P20K Switching Test Circuit:

矽源特ChipSourceTek-PE60P20K Switching Waveform:

特别声明:[矽源特ChipSourceTek-PE60P20K是VDS=-60V, ID=20A,RDS(ON)&lt;80mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)&lt;115mΩ@VGS=-4.5V的P沟道增强型电源Mosfet。提供TO-252-2] 该文观点仅代表作者本人,今日霍州系信息发布平台,霍州网仅提供信息存储空间服务。

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