矽源特ChipSourceTek-PE60P50K是VDS=-60V, ID=-50A,RDS(ON)<25mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)<32mΩ@VGS=-4.5V的P沟道增强型电源Mosfet。提供TO-252-2

矽源特ChipSourceTek-PE60P50K是VDS=-60V, ID=-50A,RDS(ON)<25mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)<32mΩ@VGS=-4.5V的P沟道增强型电源Mosfet。提供TO-252-2

矽源特ChipSourceTek-PE60P50K Description:

矽源特ChipSourceTek-PE60P50K是VDS=-60V, ID=-50A,RDS(ON)<25mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)<32mΩ@VGS=-4.5V的P沟道增强型电源Mosfet。提供TO-252-2L封装。

The 矽源特ChipSourceTek-PE60P50K uses deep trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

矽源特ChipSourceTek-PE60P50K General Features:

VDS=-60V, ID=-50A

RDS(ON)<25mΩ@VGS=-10V

RDS(ON)<32mΩ@VGS=-4.5V

High Power and current handing capability

Lead free product is acquired

Surface Mount Package

矽源特ChipSourceTek-PE60P50K Application:

PWM applications

Load switch

Power management

矽源特ChipSourceTek-PE60P50K Switching Test Circuit:

矽源特ChipSourceTek-PE60P50K Switching Waveform:

特别声明:[矽源特ChipSourceTek-PE60P50K是VDS=-60V, ID=-50A,RDS(ON)&lt;25mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)&lt;32mΩ@VGS=-4.5V的P沟道增强型电源Mosfet。提供TO-252-2] 该文观点仅代表作者本人,今日霍州系信息发布平台,霍州网仅提供信息存储空间服务。

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