今天分享的是：电子行业微纳世界的建筑师：光刻技术深度解析-金元证券
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光刻技术是半导体制造的核心环节，每个掩模层均需以光刻为起始，其决定着技术节点的限制，每代节点的最小特征尺寸约为上一代的70%，电路密度翻倍。逻辑芯片与存储芯片光刻存在差异，逻辑金属互连层复杂，最小pitch多见于第一层金属互连和晶体管层（如7nm逻辑的M1线/槽pitch约40nm）；存储芯片核心阵列由规则线/间隔结构组成，pitch全局统一（如DRAM字线pitch整个阵列内恒定），利于光刻工艺优化。光刻基本流程包括旋涂光刻胶、预烘烤、曝光、显影，前提是完成掩模版设计制造，掩模版制造含CAM版图处理、光刻及检测，先进节点（130nm及以下）掩模采用电子束直写以保证精度。匀胶显影机（Track）负责涂胶、烘烤、显影等除曝光外的工艺，包含增粘、热盘、冷盘等模块，可在线检测调整工艺参数。光源方面，不同波长对应不同光源，I线用高压汞灯，KrF和ArF用准分子激光器，EUV采用13.5nm极紫外光，通过激光等离子体（LPP）产生，国内有LPP、DPP、同步辐射等研发路线。光刻机按曝光方式分为接触式、接近式、投影式，投影式又分步进式和步进扫描式，核心参数波长、NA、k1决定分辨率（遵循瑞利判据）。套刻误差影响器件性能，需高精度量测与校正，现代光刻机采用磁浮驱动和激光干涉仪定位，双工件台架构提升产能。2024年光刻相关设备市场约293.67亿美元，2025年预计达312.74亿美元，ASML垄断高端市场，先进制程及AI、大数据等应用拉动的高带宽存储需求驱动市场增长。
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