微源 LPM9031 双通道N沟道MOSFE
描述: LPM9031 是一款双通道 MOSFET，结合了先进的沟槽 MOSFET 技术与低电阻封装，可提供极低的RDS（ON）。此器件适用于负载开关或 PWM 应用。 特征： 100%EAS保证 绿色设备…
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微源 LPM3400 N沟道增强型场效应晶体管
LPM3400采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷和低至1.1V的栅极电压操作。该器件适合用作负载开关或在PWM应用中使用。 20V5A，RDS（ON）＜33mΩ（最大值）@VGS=4…
EG2113S『芯片』 大功率MOS管、IGBT管栅极驱动『芯片』
电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制 使上、下功率 MOS管处于关闭状态,输出电流能力 IO+- 2A2A，采用 SO16(宽体)封装。 1 …
微源 LPM9040 40V N沟道MOSFET
描述： LPM9040 采用先进的沟槽技术，提供低栅极电荷的出色 RDS（ON）。这是一款多功能器件，适用于更广泛的电源转换应用。 特征：优秀的 CdVdt 效应下降 继电器、电磁铁、电机、LED等的驱动…
芯控源 AGM3N150F 绝对最大值额定值热特性电气特性
描述： AGM3N150F结合了先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装，可提供极低的RDS（ON）。该器件非常适合负载开关和电池保护应用。特征： 低热阻 100% 进行过雪崩测试 100% 进行过DVDS测…
芯控源 AGM4N65F 绝对最大值额定值热特性电气特性
描述： AGM4N65F结合了先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装，提供极低的RDS（ON）。该器件非常适合负载开关和电池保护应用。 特征：低热阻 100% 进行过雪崩测试 100% 进行过 DVDS 测…
芯控源 AGM7N65D 绝对最大值额定值热特性电气特性
描述： AGM7N65D结合了先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装，以提供极低的RDS（ON）。此器件非常适合负载开关和电池保护应用。 特征：低热阻 100% 进行过雪崩测试 100% 进行过DVDS测试…
芯控源 AGM7N65F 绝对最大值额定值 热特性 电特性
描述： AGM7N65F结合了先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装，可提供极低的RDS（ON）。该器件非常适合负载开关和电池保护应用。 特征：低热阻 100% 进行过雪崩测试 100% 进行过DVDS测试…
替代LT8306反激隔离开关控制器内置UVLO和短路保护
PC4411是一个隔离的反激式控制器在宽输入电压下具有高效率范围为2.7V至100V。PC4411提供5V栅极驱动驱动外部N沟道MOSFET的电压GaN。保持高效率并使输出电压纹波最小化PC4411在轻载时…
新品上市，华普微推出600V半桥驱动器HPD2606X
为提升工业电机能源转换效率，让电机能拥有更快的响应速度、更高的带宽、更高精度的位置和速度控制，华普微于近期重磅推出了一款自主研发的高压、高速的功率MOSFET和IGBT半桥驱动器——HPD2606X。HPD…
晶丰明源 BP6931 200V三相半桥驱动『芯片』
BP6931 是一款三相高压半桥栅极驱动『芯片』，两路独立输入可以分别驱动高侧和低侧半桥 NMOS 或IGBT，可广泛应用于马达驱动。高侧驱动浮动电源设计，最高耐压+200V 三路独立半桥驱动，高低侧分别控制…
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矽源特ChipSourceTek-PE40P08S是SOP8封装,40V, 8A的P-源Mosfet
矽源特ChipSourceTek-PE40P08S作为一款高性能的P通道增强模式电源MOSFET，凭借其出色的电气性能、先进的封装技术和广泛的应用领域，成为了现代电子系统中不可或缺的关键元件。通过深入了解其…
福建省晋华集成电路取得『半导体』器件专利，提高操作表现
金融界2025年2月28日消息，国家知识产权局信息显示，福建省晋华集成电路有限公司取得一项名为“『半导体』器件”的专利，授权公告号CN222532097 U，申请日期为2024年6月。 专利摘要显示，本实用新型…
MOS管开关波形异常是怎么回事？
波形显示Ud电压最小值还在5V左右就又开始上升，即MOS管的开关并未完全导通。 在上述基础上，我们再将栅极驱动信号的频率降低到100kHz，这时我们观察到Ud和Ugs基本都是一个比较标准的方波信号（通过Ugs…
矽源特ChipSourceTek-PE039N03K是TO-252-2L封装,30V,130AN-Mosfet
这颗电子之心，采用了先进的沟槽技术，仿佛一位巧手的工匠，精心雕琢，赋予了它优异的RDS(ON)与低栅极电荷，使其在众多应用中如鱼得水，游刃有余。 谈及应用，矽源特ChipSourceTek-PE039N03…
宽禁带科技论|香港科技大学陈敬课题组：宽禁带『半导体』氮化镓、碳化硅的最新研究进展
针对这一瓶颈，陈敬教授课题组提出采用N型掺杂的GaN帽层作为『半导体』栅极以取代传统的金属栅极，构建n-GaNp-GaNAlGaNGaN增强型HEMT，具体结构如图2-1所示，其中在有源区沟道上方的n-Ga…
新洁能授权代理 NCEP1505S N沟道超深槽功率MOSFET
NCEP1505S采用Super Trench技术，该技术经过独特优化，以提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和…
新洁能授权代理 NCE0224AK N沟道增强型功率MOSFET
描述： NCE0224AK采用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。 完全表征的雪崩电压和电流具有高电场开启特性的良好稳定性和均匀性 优秀的封装以实现良好的散热 电源切换应…
浮思特 | MOSFET和BJT在电源循环应用中的应用：驱动高侧开关
图1显示了一个使用高侧输入开关的应用电路，以保护下游电子系统在电压不足条件下免受错误影响。 驱动P沟道高侧开关的一种方法是使用NPN双极结型晶体管(BJT)，如图4所示。使用N沟道MOSFET作为驱动电路时…
涉及碳化硅专利，格力电器、芯联集成新动态
专利摘要显示，本发明涉及一种碳化硅肖特基『半导体』器件及其制造方法，其包括第一电子型『半导体』层、第二电子型『半导体』层、第一空穴型『半导体』层、第二空穴型『半导体』层、第一阳极结构、第二阳极结构和阴电极层。 芯联集成专利摘要…
华润微授权代理商 CS830F A9RD N沟道功率MOSFET
描述： CS830F A9RD 是采用自对准平面工艺制造的硅N沟增强型VDMOSFET，该工艺降低了导通损耗、提高了开关性能并增强了雪崩能量。特征： 快速切换 ESD 改进能力 低栅极电荷（典型数据：14.…
智芯微电子申请 MOS 管有效沟道长度测试专利，提高测试效率
金融界 2025 年 1 月 16 日消息，国家知识产权局信息显示，北京智芯微电子科技有限公司申请一项名为“MOS管有效沟道长度测试方法及装置”的专利，公开号 CN 119297099 A，申请日期为 20…
