晶丰明源 BP6931 200V三相半桥驱动芯片
BP6931 是一款三相高压半桥栅极驱动芯片，两路独立输入可以分别驱动高侧和低侧半桥 NMOS 或IGBT，可广泛应用于马达驱动。高侧驱动浮动电源设计，最高耐压+200V 三路独立半桥驱动，高低侧分别控制…
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矽源特ChipSourceTek-PE40P08S是SOP8封装,40V, 8A的P-源Mosfet
矽源特ChipSourceTek-PE40P08S作为一款高性能的P通道增强模式电源MOSFET，凭借其出色的电气性能、先进的封装技术和广泛的应用领域，成为了现代电子系统中不可或缺的关键元件。通过深入了解其…
福建省晋华集成电路取得半导体器件专利，提高操作表现
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MOS管开关波形异常是怎么回事？
波形显示Ud电压最小值还在5V左右就又开始上升，即MOS管的开关并未完全导通。 在上述基础上，我们再将栅极驱动信号的频率降低到100kHz，这时我们观察到Ud和Ugs基本都是一个比较标准的方波信号（通过Ugs…
矽源特ChipSourceTek-PE039N03K是TO-252-2L封装,30V,130AN-Mosfet
这颗电子之心，采用了先进的沟槽技术，仿佛一位巧手的工匠，精心雕琢，赋予了它优异的RDS(ON)与低栅极电荷，使其在众多应用中如鱼得水，游刃有余。 谈及应用，矽源特ChipSourceTek-PE039N03…
宽禁带科技论|香港科技大学陈敬课题组：宽禁带半导体氮化镓、碳化硅的最新研究进展
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新洁能授权代理 NCEP1505S N沟道超深槽功率MOSFET
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新洁能授权代理 NCE0224AK N沟道增强型功率MOSFET
描述： NCE0224AK采用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。 完全表征的雪崩电压和电流具有高电场开启特性的良好稳定性和均匀性 优秀的封装以实现良好的散热 电源切换应…
浮思特 | MOSFET和BJT在电源循环应用中的应用：驱动高侧开关
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涉及碳化硅专利，格力电器、芯联集成新动态
专利摘要显示，本发明涉及一种碳化硅肖特基半导体器件及其制造方法，其包括第一电子型半导体层、第二电子型半导体层、第一空穴型半导体层、第二空穴型半导体层、第一阳极结构、第二阳极结构和阴电极层。 芯联集成专利摘要…
华润微授权代理商 CS830F A9RD N沟道功率MOSFET
描述： CS830F A9RD 是采用自对准平面工艺制造的硅N沟增强型VDMOSFET，该工艺降低了导通损耗、提高了开关性能并增强了雪崩能量。特征： 快速切换 ESD 改进能力 低栅极电荷（典型数据：14.…
智芯微电子申请 MOS 管有效沟道长度测试专利，提高测试效率
金融界 2025 年 1 月 16 日消息，国家知识产权局信息显示，北京智芯微电子科技有限公司申请一项名为“MOS管有效沟道长度测试方法及装置”的专利，公开号 CN 119297099 A，申请日期为 20…
