C4 Bump 和 C2 Bump 是两种常见的『芯片』与基板之间的连接方式，有什么区别？
C4 Bump 是什么？
C4（Controlled Collapse Chip Connection）是一种传统凸点互连技术，多用于BGA、FC封装中。
制程流程：
1，在晶圆上先沉积UBM（金属层）结构：通常是 Ti/Cu 或 TiW/Cu。
2，涂上厚达 40μm 的光刻胶，定义焊点位置。
3，在UBM上电镀铜种子层+焊料层（SnPb或SnAg），焊料高度约100 μm。
4，剥离光刻胶，去除多余UBM。
5，回流焊（Reflow） → 焊点形成球形结构。
C2 Bump 是什么？
C2（Chip Connection）也叫微凸点（Micro Bump）或Cu Pillar Bump，多用于高密度、先进封装，如 2.5D/3D封装、HBM堆叠等。
制程流程：
1，与C4一样做UBM → 涂胶 → 曝光 → 图案化。
2，电镀形成 铜柱（Cu Pillar），高度约 30–60 μm。
3，在铜柱顶端 电镀极薄的焊料帽（Solder Cap）。
4，回流后形成顶部微焊点，但没有自对准能力。
C4 vs C2 的对比
对比项目
C4 Bump（传统）
C2 Bump（微凸点/Cu Pillar）
结构
全部为焊料球
铜柱+顶部薄焊料帽
尺寸
直径约100 μm，高度100 μm
直径20–40 μm，高度20–60 μm
Pitch 间距
> 150 μm
最小可至 40 μm 以下
自对准能力
有，靠焊料球表面张力
无，自对准能力差
热导率
55–60 W/m·K（焊料）
400 W/m·K（铜） → 散热更好
电阻率
0.12–0.14 μΩ·m（焊料）
0.0172 μΩ·m（铜） → 导电更优
适用场景
普通Flip Chip封装、BGA等
高密度封装、3D堆叠、HBM、SiP等
焊料消耗
焊料量大，成本高
焊料用量少，结构稳定
C2 是为了适应越来越小的封装间距（fine pitch）而发展出来的。它解决了 C4 在小尺寸时容易短路、翘曲、焊点桥连等问题，同时又大幅提升了电性和散热性。
