宽禁带半导体材料新突破:氮掺杂氧化锌量子点的技术革命(宽禁带半导体材料与硅基半导体材料相比有什么特点)
研究团队发现,在量子点表面构建氮-氢协同掺杂体系,可突破传统体材料的掺杂极限。 3.动态掺杂控制:采用管式炉梯度退火技术,在氨气或氮氢混合气氛中实现原子级掺杂分布,突破传统静态掺杂的浓度极限。 这种氮掺杂量…
研究团队发现,在量子点表面构建氮-氢协同掺杂体系,可突破传统体材料的掺杂极限。 3.动态掺杂控制:采用管式炉梯度退火技术,在氨气或氮氢混合气氛中实现原子级掺杂分布,突破传统静态掺杂的浓度极限。 这种氮掺杂量…
此外,在二维材料异质结(如 CrI₃MoS₂)中,差分电荷密度能量化磁性层与非磁性层的自旋 - 电荷耦合效应,为自旋电子学器件设计提供依据。从半导体器件的界面调控到催化反应的活性位点解析,从拓扑材料的表面…
《报告》是系统分析2025年度中国半导体封装设备行业发展状况的著作,对于全面了解中国半导体封装设备行业的发展状况、开展与半导体封装设备行业发展相关的学术研究和实践,具有重要的借鉴价值,可供从事半导体封装设备行…
金融界2025年7月28日消息,国家知识产权局信息显示,拉普拉斯(广州)半导体科技有限公司取得一项名为“热炉”的专利,授权公告号CN223154004U,申请日期为2024年09月。 专利摘要显示,本实用新型…
近日,晶镁半导体高端光罩项目正式落户合肥高新区。该项目主要从事28nm及以上半导体光罩的研发、生产和销售等,满产后月产能约3200片。下一步,合肥高新区将继续加速产业集聚,壮大产业规模,同时全力推动产业创新升…
智能一体化蝶阀行业存在诸多发展机会,可从新兴应用领域拓展、技术升级、政策支持等方面进行识别,具体如下:研发和生产更节能、减排、低泄漏的环保型智能一体化阀门产品将成为竞争的关键,企业若能采用环保材料和生产工…
金融界2025年7月26日消息,国家知识产权局信息显示,中山市光圣半导体科技有限公司取得一项名为“一种多用途双色白光LED光源”的专利,授权公告号CN223153357U,申请日期为2025年06月。 专利摘…
这场由两江产业集团与上海新微科技集团联合主办的“AI基础设施领域功率器件应用研讨会”,汇集了数据中心供配电、服务器电源设计、功率器件研发等领域的专家,共同探讨AI时代功率器件创新应用与产业发展。接下来,新微科…
江苏达峰环境科技有限公司的实力展现江苏达峰环境科技有限公司专注于暖通行业多年,主营业务广泛,涵盖机电工程、暖通专业,像织物风管、风口风阀等都在其业务范围内。其产品和服务广泛应用于工业领域、商业与公共建筑工程…
然而,从实验室晶圆到工厂量产,Rapidus仍面临三大挑战:良率地狱——2纳米工艺极其复杂,任何微小瑕疵都可能导致整片晶圆报废;成本黑洞——2纳米产线投资巨大,需要大量客户分摊成本,否则芯片价格可能高昂;生…
格隆汇7月25日丨海光信息(688041.SH)在互动平台表示,公司的产品包括海光通用处理器(CPU)和海光协处理器(DCU),品规多样。钽靶材在半导体镀膜等领域有应用,但具体到某一款硬件产品是否会用到,需…
根据其最新的IPO招股书披露,天域半导体在2025年前五个月的营业收入为人民币2.57亿元,净利润为人民币951.5万元。 此外,在碳化硅器件设计与制造方面,华为投资了东微半导体、瀚薪科技;而在基于碳化硅的电…
半导体设备ETF(159516)跟踪的是半导体材料设备指数(931743),该指数聚焦于半导体产业链上游的材料与设备领域,从市场中选取涉及半导体晶圆制造、封装测试等环节所需关键材料及设备供应的上市公司证券作…
市场规模:2025 年中国氧化锆陶瓷面板市场规模预计突破 80 亿元,占全球 35%,半导体设备用精密陶瓷部件年增速达 40%。技术突破:三祥新材开发的 50 纳米高纯氧化锆粉体,助力国产晶圆载具精度突破…
过去几年,三星在先进制程技术的良品率方面确实面临着挑战,这影响了其在顶级芯片代工市场的竞争力。这不仅将带来可观的实际营收,更重要的是极大地提振了市场对三星先进制程技术能力的信心,提升了其行业声誉和竞争力。 …
半导体后道测试设备主要由泰瑞达、爱德万等海外厂商占据,国内长川科技、华峰测控、金海通、精智达等厂商有所突破,但最重要的SOC和存储测试机的国产化率仍有较大提升空间,根据聚亿信息咨询数据,预计 2025年,国…
技术突破:湖南鑫星电子的氧化铝陶瓷阀片在氢能源压缩机中实现国产替代,成本仅为进口产品的13;厦门艾佛特的陶瓷圆顶阀打破欧美垄断,国外订单占比达 50%。 中国半导体设备国产化率已从 2018 年的 5%…
但长期以来,硒化铟的大面积、高质量制备未能实现,制约着该材料走向大规模集成应用,成为国际半导体领域的一大技术挑战。 北大电子学院研究员邱晨光说,团队现已制备出直径5厘米的硒化铟晶圆,并构建了高性能晶体管大规模…
但翻开半导体产业的地图,这个2025年才能量产的28nm工艺,距离台积电2nm量产已落后整整六个技术世代。当印度还在调试28nm产线时,中国早在2011年就实现了该制程量产,2019年更突破14nm工艺。中国…
如何实现硫酸铵废液的资源化回收利用,不仅关系到环境保护,更是推动半导体产业绿色可持续发展的关键环节。上游由专业危废运输企业负责收集运输;中游处理环节涌现出如江苏环境、三六五环保等一批技术型企业;下游则将回收的…
当国内企业通过梯度烧结、3D 打印等技术突破材料极限,当政策资金精准注入 “卡脖子” 环节,陶瓷管 —— 这一 “工业牙齿” 正在啃下半导体制造最硬的骨头。未来十年,随着国产替代加速和技术迭代,陶瓷管有望成为…
回顾过往,自 2016 年起进入硒化铟半导体研究领域,姜建峰一路见证并参与了这项前沿材料从实验室概念到有望大规模集成的全过程:2019年,他和所在团队发表了首篇关于硒化铟电子器件的论文;2023 年,他和…
在半导体制造中,光刻胶剥离与清洗是影响良率的关键环节,而N-甲基吡咯烷酮(NMP)作为核心溶剂,其浓度控制直接决定工艺稳定性。 通过精准的浓度控制,达锐斯设备有效减少了晶圆批次间差异,降低了因浓度波动导致的良…
GrabMax®利用特定的离子之间的交换反应,高效捕捉材料中的钠、氯、溴、铜、银等游离杂质离子,降低环氧树脂等材料的腐蚀性离子溶出,提高电子材料的可靠性,减少制品劣化,是电子封装和其他精密材料领域的重要助剂之…
当地时间周五,被称为日本“芯片国家队”的半导体制造商Rapidus举行发布会,宣布旗下工厂已经开始2nm全环绕栅极(GAA)晶体管的测试晶圆原型制作,同时确认早期的2nm测试晶圆已达到预期电气特性。据悉,原型…
在倒装芯片工艺中,等离子清洗可去除晶圆表面残留的光刻胶和氧化物,使凸点(Bump)脱落率降低至0.05%以下。某封装测试厂数据显示,经ArO₂混合等离子处理后的焊盘,其键合拉力均匀性提升30%以上。 铜引…
它具有独特的电学性质,其导电性介于导体和绝缘体之间,这种特性使得锗可以通过掺杂其他元素来精确控制其导电性能,从而制造出各种类型的晶体管、二极管等电子元件。当时,已经有63种元素被人们所认知,但这些元素之间的关…
特朗普时期曾试图进一步限制华为昇腾芯片的使用,并阻挠含美国技术的芯片流向中国企业。 尽管中国光刻技术仍面临挑战,但3440亿的投入、全产业链的布局以及企业的快速突破,让中国芯片产业具备了与国际巨头掰手腕的实力…
在光刻机领域,堇青石陶瓷凭借低热膨胀系数(0±20 ppbK)和高弹性模量(比 Zerodur 高 55%),成为 EUV光刻机晶圆台的核心材料,京瓷的相关产品已占据全球高端市场 70% 份额。 随着 3…
据介绍,该材料展现出优异的电学性能,在晶体管阵列中实现了极高的迁移率与接近玻尔兹曼极限的亚阈值摆幅,并在超短沟道(10 nm以下)器件中,其关键参数 — 包括工作电压、栅极长度、漏致势垒降低(DIBL)、…