英特尔Granite Rapids-W工作站平台曝光：最多128条PCIe 5.0通道
与英特尔和AMD近年来在工作站领域的策略保持一致，Granite Rapids-W平台同样分为两个系列：“主流”系列和“专家”系列。随着Granite Rapids-W平台的推出，英特尔将再次巩固其在工作…
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每日一图 丨 《节省内存》
能删了系统说明也是有点本事 图片来源网络…
联想小新 Pro 2025 系列笔记本上架预约，2 月 18 日正式开售
小新 Pro 1416 GT AI 元启版均提供英特尔酷睿 Ultra 5 225H 和 Ultra 9 285H 版本可选，均为 32GBLPDDR5x 8533 内存 + 1TB PCIe 4.0 …
2025年笔记本市场新趋势，更多1kg笔记本出现，补贴后价更低
点评：这款本屏幕节省了重量，同时电池也不大，应该就是为了实现1kg这个目标。 这款本配置了Ultra5125H，4性能核心，8效能核心，2个低功耗效能核心，14核，18线程。 点评：这款本虽然用了13.5…
如何根据个人需求选择合适的笔记本电脑配置指南
首先，大家需要明白，笔记本的配置主要由几个关键部分组成：处理器、内存、存储、显卡和显示屏。如果你只是用来上网、看视频，选择一款中等配置的笔记本就可以了；如果你需要进行图像处理、视频剪辑等专业工作，那么高性能…
高效清理苹果手机内存的小窍门与维护技巧分享
很多程序在使用过程中，都会产生一些缓存文件。这些缓存虽然可以加快应用的启动速度，但时间长了也会占用不少内存。也可以在“设置”里选择“App Store”，关闭“自动下载”功能，这样可以避免应用在后台自动更新而…
OPPO果断清仓了，跌到988元，12GB+256GB+5500mAh+80W
在众多的百元手机中，我比较看好OPPO K12x这款手机，其实这款手机最初的定位在千元价位，因为上市时间挺久了，现在OPPOK12x已经沦为了百元机，目前12GB+256GB版本988元就能买到！ 考虑到…
TrendForce：2025 年第四季度 DRAM 价格涨幅放缓，需求主要靠 AI 服务器维持
根据 TrendForce 最新调查报告，2024 年第三季度之前，消费型产品终端需求依然疲软，主要需求靠 AI 服务器支撑。
TrendForce：三大内存原厂将于 20 层堆叠 HBM5 全面应用混合键合工艺
混合键合可容纳较多堆叠层数与较大晶粒厚度，还能提升芯片传输速度，散热表现也更为优异。
三星电子准备 HBM3E 内存改进款：针对多个主要客户下代 AI GPU 优化
三星正与客户就改进版 HBM3E 的供应进行谈判，预计将于明年上半年实现量产。三星电子第三季度 HBM 内存总销售额环比增长超 70%，HBM3E 已占到整体一成。
消息称三星平泽 P4 厂一期改为混合产线：每月可产 3~4 万片 DRAM 内存晶圆
P4 工厂一期未来每月还可贡献约 1 万片 NAND 闪存晶圆。
南亚科技宣布同补丁科技就定制超高带宽内存开发达成战略合作
此次合作将结合南亚科技的 10nm 级 DRAM 技术和补丁科技在定制内存产品方面的设计能力。
美光豪掷 21.7 亿美元扩建弗吉尼亚工厂，提升美国特种 DRAM 产能
美国弗吉尼亚州州长格伦・杨金表示，美光计划投资 21.7 亿美元（ 备注：当前约 158.76 亿元人民币）扩建其位于弗吉尼亚州马纳萨斯的半导体工厂，创造 340 个就业岗位并提高其在美国的半导体生产能力。该项目将对该设施进行升级，以
报道称三星于华城 17 号产线量产 HBM3 内存，平泽 P4 产线全部转向 DRAM 生产以弥补供应短缺
继消息称三星有望今年第 3 季度开始向英伟达出货后，韩媒 sedaily 报道三星开始已在华城 17 号产线量产并向英伟达供应 HBM3 内存。
TrendForce：HBM、QLC 崛起，助推今年 DRAM、NAND 产业营收环比增长超七成
HBM 今年将贡献 DRAM 整体营收的 20%；QLC 今年将占到整体 NAND 位元出货的两成。
TechInsights：3D、4F2 等新结构 DRAM 内存有望于 0C 节点量产
0C nm 即第 3 代 10nm 以下级节点。目前三大原厂最先进的工艺是 1b nm，即第 6 代 20~10 纳米级节点。
消息称三星电子确认平泽 P4 工厂 1c nm DRAM 内存产线投资，目标明年 6 月投运
三星电子计划在今年底启动 1c nm 内存生产。平泽 P4 生产的 DRAM 有望用于 HBM4。
TrendForce：2025 年第二季内存产业营收 229 亿美元，环比增 20.4%，同比翻倍
DRAM 内存产业 2024 年第二季合约价维持上涨姿态，具体涨幅落在 13%~18% 区间。
赔偿 7.535 亿欧元，英飞凌就昔日内存巨头奇梦达破产达成最终和解
奇梦达曾一度成为全球第二大 DRAM 供应商，但因多方面原因于2009年申请破产。
双方 HBM 合作首度公开，三星电子、台积电正携手开发无缓冲 HBM4 内存
无缓冲 HBM4 据信属于 HBM4 内存特殊变体，取消了用于分配电压和防止电气问题的缓冲器。
消费电子旺季遇冷，消息称内存模组一哥金士顿针对部分中低端产品降价
今年整体消费者需求偏低，AI PC带来的换机潮尚未发酵，导致存储模组行业企业面临现金流压力。
DRAM 迎来降价周期，DDR4 8Gb 1Gx8 内存 9 月降幅达 17.07%
自去年 10 月以来，DRAM 价格一直在稳步上涨，但 8 月下跌了 2.38%，这也是 DRAM 报价首次下跌，然后就是 9 月跌幅进一步加大。
消息称三星本月成功研制首批 1c nm DRAM 良品晶粒，未来将用于 HBM4 内存
三星计划年内建成首条 1c DRAM 量产线，但按规划明年底就要量产基于 1c DRAM 的 HBM4 内存。
面向高能效应用：铠侠、南亚联合研发新型极低漏电流 OCTRAM 内存
OCTRAM 为一种采用 IGZO 晶体管的 4F2 VCT DRAM，较以往产品漏电流更低，能效更为优秀。
消息称内存原厂考虑 HBM4 采用无助焊剂键合，进一步降低层间间隙
助焊剂可清理 DRAM Die 表面的氧化层，提升键合强度与质量，但其残余也会扩大 HBM 堆栈各 Die 之间的间隙。
TrendForce：第三季度 DRAM 内存产业营收 260.2 亿美元，环比增长 13.6%
三星 Q3 营收为 107 亿美元（当前约 775.72 亿元人民币），环比增长 9%，排名维持第一，出货量与上季持平，但市场份额反而有所下降。
消息称三星电子启动下代 1c nm DRAM 内存量产设备订购，明年 2 月引进
三星首条 1c nm 量产线将设置于韩国京畿道平泽 P4 工厂，由于良率尚待改进初期投资规模有限。
消息称三星电子 HBM3E 内存性能未达要求，2025 年内难以向英伟达供应
据悉三星电子的 HBM3E 在发热和功耗等性能参数上无法满足英伟达的要求并非因键合工艺不同导致。
TrendForce：预估一般型 DRAM 内存 2025 年一季度合约价下跌 8%~13%
2025Q1 进入 DRAM 市场淡季，在智能手机等需求持续萎缩、部分产品提前备货的背景下各类别内存价格均将下滑。
鼓励多技术路线探索，消息称三星电子准备开发传统结构 1e nm DRAM 内存
1e nm DRAM 有望于 2028 年推出，若其最终走向商业化则 4F2 VCT DRAM 的量产预计将至少延至 2029 年。
